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RASIRC
특화된 멤브레인 기술을 바탕으로 차세대 반도체 공정에 필요로 하는 H2O2/N2H4의 고순도 기화 서비스를 제공합니다.
| 제품명 | 설명 |
|---|---|
| Peroxidizer(H2O2) | 기존의 O3 산화제보다 산화력을 낮추고, H2O 산화제 보다 산화력을 높여 DRAM Capacitor 공정에서 하부 전극 산화도와 Carbon 농도를 낮추어 높은 품질의 유전막 형성이 가능합니다. |
| Brute Peroxide(H2O2) | |
| Brute Hydrazine(N2H4) | 기존의 NH3보다 결합에너지를 낮아 NH3보다 낮은 온도에서도 쉽게 반응하여 우수한 품질의 SiN, TiN등의 Nitride 박막 성장이 가능합니다. |
| 스펙이나 가격 등 기타 자세한 사항은 이메일을 통한 견적 문의 바랍니다 | |
Peroxidizer(H2O2)
특화된 멤브레인 기술을 바탕으로 고농도, 고순도의 H2O 기화 서비스가 가능합니다.
- O3 보다 산화력이 낮고, H2O 대비 산화력이 높아 차세대 유전막 산화제로 유리합니다.
- 최대 50,000ppm 농도의 H2O2 delivery가 가능합니다.
- 특화된 멤브레인 기술을 통해 Particle free한 H2O2 공급으로 반도체 공정에 적용이 가능합니다.
Brute Peroxide(H2O2)
특화된 멤브레인 기술을 바탕으로 고농도, 고순도의 H2O2 기화 서비스가 가능합니다.
- O3 보다 산화력이 낮고, H2O 대비 산화력이 높아 차세대 유전막 산화제로 유리합니다.
- 최대 2,000ppm 농도의 H2O2 delivery가 가능합니다.
Brute Hydrazine(N2H4)
특화된 기술을 바탕으로 안정적, 고순도의 N2H4 기화서비스가 가능합니다.
- 기존의 NH3보다 결합에너지를 낮아 NH3보다 낮은 온도에서도 쉽게 반응하여 우수한 Nitride 박막 성장이 가능합니다.
- 특화된 기술을 적용하여 항공 운송 및 반도체 공정에 적용하도록 위험 등급을 낮추었습니다.
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Peroxidizer
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Brute Peroxide
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Brute Hydrazine